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结果: 找到相关主题 5853 个
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KIA20N50HM TO-247 500V20A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
KIA20N50HM 采用 TO-247 大功率封装，额定 500V/20A，导通内阻低、散热性能优异，雪崩耐量达 1110mJ，适配大功率开关电源、有源 PFC 电路；可直接平替进口同规格 MOS，散热冗余充足，适合长期高负载工况，原厂现货支持试样与批量采购。
www.kiaic.com/article/detail/6560.html 2026-07-23
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KIA20N50HF TO-220F 500V20A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
KIA20N50HF 采用 TO-220F 绝缘封装，额定 500V/20A，导通内阻低、栅极电荷小，雪崩耐量优异，适配开关电源、有源 PFC 电路；装配无需绝缘垫片，可平替多款进口高压 MOS，原厂现货可试样、批量供货。*{box-sizing:border-box;margin:0;padding:0}body{font-size...
www.kiaic.com/article/detail/6559.html 2026-07-23
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KNF6450B TO-220F 500V13A N 沟道｜KIA-MOS管
KNF6450B 采用 TO-220F 绝缘封装，额定 500V/13A，导通内阻低、开关损耗小，雪崩耐量可达 900mJ，适配适配器、充电器功率开关；无需额外绝缘垫片，装机便捷，可平替多款进口高压 MOS，原厂现货支持试样与批量采购。
www.kiaic.com/article/detail/6558.html 2026-07-23
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KIA6035AP TO-220 MOS 管 350V 11A N 沟道功率场效应管
KIA 原厂 6035AP 为 TO-220 封装 N 沟道功率 MOS，耐压 350V、常温连续电流 11A；采用先进平面条纹 DMOS 工艺，导通内阻低、栅极电荷仅 15nC，开关速度快；单脉冲雪崩能量 423mJ，抗浪涌冲击、dv/dt 性能优异，适配高效开关电源、有源功率因数校正半桥电路，原...
www.kiaic.com/article/detail/6555.html 2026-07-22
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KIA 原厂 KIA5N50SY DFN5×6 封装高压 MOS 规格书现货可试样
IA5N50SY 为 DFN5*6 封装 N 沟道 MOSFET，额定 5A/500V；紧凑贴片封装大幅节省 PCB 占用空间，单脉冲雪崩能量 80mJ 可抵御电压浪涌，栅极电荷低、开关损耗小，体二极管性能接近快恢复二极管，适配桥式电路、小型开关电源；原厂库存充足，支持免费取样、批量询价...
www.kiaic.com/article/detail/6556.html 2026-07-22
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KIA840SB TO-263 8A500V N 沟道 MOSFET 贴片场效应管
KIA840SB TO-263 8A500V N 沟道 MOSFET 贴片场效应管TO?263 散热强｜EAS=400mJ 抗浪涌｜Qg=24nC 适配高频电源设计KIA840SB、TO?263 MOS管、8A500V 贴片场效应管、N 沟道功率 MOSFET、KIA 高压贴片 MOS*{box-sizing:border-box;
www.kiaic.com/article/detail/6557.html 2026-07-22
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200V 大电流 TO247 MOS管 KNM2920B BMS/UPS 专用选型
KIA 原厂 KNM2920B 为 TO-247 封装 N 沟道大功率 MOS 管，耐压 200V、常温连续电流 130A，导通内阻典型仅 9.5mΩ；单脉冲雪崩能量达 1250mJ，抗浪涌能力强，有效解决大功率快充、储能 BMS、UPS 设备 MOS 管过热击穿问题；TO247 封装散热优秀，支持多器件并联扩...
www.kiaic.com/article/detail/6552.html 2026-07-21
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250V 直插 TO220 功率管 KNP9125A 电机驱动 / UPS 逆变器专用
KIA 原厂 KNP9125A 为 TO-220 封装 N 沟道 MOS 管，耐压 250V、持续电流 40A，采用自研平面工艺，栅极电荷小、内置快恢复体二极管，可显著降低 DC-DC 变换器、UPS 逆变器、电机控制电路开关损耗与发热；单脉冲雪崩能量 1250mJ 抗浪涌能力强，兼容常规插件生产工...
www.kiaic.com/article/detail/6553.html 2026-07-21
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KCB2920K/KCP2920K/KCM2920K 200V/130A MOSFET
还在为 MOS 管发热大、高频损耗高发愁？KCB2920K 系列采用 SGT 沟槽工艺，Rds (on) 低至 9.8mΩ，200V/130A 规格，低栅极电荷，是高频开关电源、同步整流的理想选择。
www.kiaic.com/article/detail/6389.html 2026-07-21
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电机驱动易炸管？KNB2915A 贴片 MOSFET 现货可试样
IA 原厂 KNB2915A 是 TO-263 封装 N 沟道大功率 MOS 管，耐压 150V、连续电流 130A，导通内阻典型值仅 10mΩ，开关损耗低；单脉冲雪崩能量 272mJ，可抵御电机启停、电源浪涌冲击，解决器件易炸、整机温升偏高难题；适配电机驱动、BMS 电池管理、UPS 不间断电源...
www.kiaic.com/article/detail/6550.html 2026-07-20
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MOS 管 KCB036R10A 120V 130A 贴片TO-263 UPS / 储能专用
KCB036R10A 是 TO-263 封装 N 沟道大功率 MOS 管，额定 120V/130A，导通内阻低至 6mΩ，栅极电荷小、高频损耗低；具备优异雪崩耐量，解决电源温升高、浪涌炸管、直插件焊接成本高痛点，适配 UPS 不间断电源、储能逆变器、工业高频电源，可平替进口同规格 MOS，...
www.kiaic.com/article/detail/6549.html 2026-07-20
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UPS 电源 MOS 易击穿？KNP3520A 直插 MOSFET 现货可试样
KIA 原厂 KNP3520A 是 TO-220 封装 N 沟道大功率 MOS 管，耐压 200V、连续电流 75A，导通内阻典型 20mΩ，栅极电荷低、开关速度快；单脉冲雪崩能量 233mJ，可抵御电源浪涌冲击，解决器件易击穿、整机温升偏高难题；适配功率开关电源、UPS 不间断电源，直插封装...
www.kiaic.com/article/detail/6551.html 2026-07-20
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KCT1810A 原厂现货 TOLL-8 封装 100V MOS 管 可寄样批量采购
KCT1810A 是 KIA 原厂 TOLL-8 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 240A，典型 Rds (on) 仅 1.6mΩ；采用 SGT 工艺，散热、抗浪涌性能优异，适配储能 BMS、大功率 DC-DC、电机驱动、UPS 电源，支持样品测试，批量货源稳定。
www.kiaic.com/article/detail/6548.html 2026-07-17
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KCT1810A 原厂现货 TOLL-8 封装 100V MOS 管 可寄样批量采购
KCT1810A 是 KIA 原厂 TOLL-8 封装 N 沟道 MOSFET，耐压 100V、连续电流 240A，典型 Rds (on) 仅 1.6mΩ；采用 SGT 工艺，散热、抗浪涌性能优异，适配储能 BMS、大功率 DC-DC、电机驱动、UPS 电源，支持样品测试，批量货源稳定。
www.kiaic.com/article/detail/6547.html 2026-07-17